SUPSiC(国晶微半导体)中国

GC3M0065100K

单 FET，MOSFET
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沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流32 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压1 kV
连续漏极电流32 A
电源
漏源电压(Vdss)1000V
连续漏极电流(Id)32A
其他
类型1个N沟道
耗散功率(Pd)113.5W

技术资料

数据手册数据手册 · 3.6 MB · 2026-10-06数据手册数据手册 · 4.0 MB · 2026-09-21
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