GC4D16120A
SUPSiC(国晶微半导体)中国

GC4D16120A

在产单二极管TO-220-2

国晶微半导体 GC4D16120A — SiC 碳化硅肖特基二极管

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技术参数

电源
最大连续电流 (IF)20A
正向电压 (VF)1.27 V
阻断电压1200 V
额定电流16 A
环境与封装
封装TO-220-2
其他
型号GC4D16120A
总功率(Ptot)203 W
总电容电荷（Qc）52 nC

器件图片

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技术资料

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