Результаты поиска:IRLML5103
Найдено: 17- С даташитом15
- Производителей8
Результаты поискаВсего: 17
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 30V SOT-23 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Даташит6 | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 30V HEXFET SOT-23 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 30V SOT-23 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 | Даташит2 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит5 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | IRLML5103PbF 是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的额定电压VDSS，提供4.1A的连续电流ID，并且其导通电阻仅为48mR，保证了在中等功率应用中的高效能与低损耗。广泛应用于电源开关、电池保护电路以及各类负载驱动系统中，是电子工程师设计高效能方案的优选半导体元器件。 | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит9 | |||||
| Даташит6 | ||||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.