VBsemi(微碧半导体)Китай
IRLML5103GTRPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5.6 A
Сопротивление в открытом состоянии54 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |