Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:AO3416

Найдено: 33
  • С даташитом27
  • Производителей22

Результаты поискаВсего: 33

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L

Даташит6
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:20V

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道,20V 6.5A

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит9
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A适用于电源开关和信号控制

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит6
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

带ESD保护,N沟道,20V,7.5A,13mΩ@4.5V,6.5A,0.7V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道,电流:6A,耐压:20V

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型 1个N沟道;漏源电压(Vdss) 20V;连续漏极电流(Id) 6.5A;导通电阻(RDS(on)) 16.2mΩ@4.5V,4A;耗散功率(Pd) 1.56W;阈值电压(Vgs(th)) 0.7V;输入电容(Ciss@Vds) 450pF@10V;反向传输电容(Crss) 80pF@10V;

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道MOSFET,具备低栅极电荷、低Cdv/dt效应、高单元密度和沟槽技术

Single FETs, MOSFETs

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

AO3416 SOT-23场效应管

Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 20V SOT23

Даташит2

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.