搜索结果：AO3416

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产品型号	分类	产品描述	技术资料	操作
AO3416	单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L	数据手册6	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L	数据手册2	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	N沟道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:20V	数据手册1	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	N沟道,20V 6.5A	数据手册2	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单		数据手册2	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单		数据手册9	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	1个N沟道耐压:20V 电流:6.5A适用于电源开关和信号控制	数据手册4	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单		数据手册3	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单		数据手册6	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	带ESD保护，N沟道，20V，7.5A，13mΩ@4.5V,6.5A，0.7V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。	数据手册4	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单		数据手册3	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单		数据手册1	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	N沟道,电流:6A,耐压:20V	数据手册1	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	类型 1个N沟道；漏源电压(Vdss) 20V；连续漏极电流(Id) 6.5A；导通电阻(RDS(on)) 16.2mΩ@4.5V,4A；耗散功率(Pd) 1.56W；阈值电压(Vgs(th)) 0.7V；输入电容(Ciss@Vds) 450pF@10V；反向传输电容(Crss) 80pF@10V；	数据手册1	查看详情
AO3416	晶体管 - FET，MOSFET - 单	N沟道MOSFET，具备低栅极电荷、低Cdv/dt效应、高单元密度和沟槽技术		查看详情
AO3416	单 FET，MOSFET		数据手册2	查看详情
AO3416	单 FET，MOSFET	AO3416 SOT-23场效应管		查看详情
AO3416L	单 FET，MOSFET	MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3		查看详情
AO3416L	晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3		查看详情
AO3416_104	晶体管 - FET，MOSFET - 单	MOSFET N-CH 20V SOT23	数据手册2	查看详情

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