HL(富海微)

沟槽;1个P沟道;VDSS:-40V;ID:-4.5A;VGS:±16V;VTH:-0.9V;RDS(ON):32mΩ;PD：0.9W

输出电压:ADJ（2.5~36V）/输出电流:150mA/精度:±0.5％

沟槽;1个N+P沟道;VDSS:40V/-40V;ID:30A/-30A;VGS:±20V;VTH:1.6V/-2.5V;RDS(ON):13.5mΩ/25mΩ;PD：25W/35W

沟槽;1个N沟道;VDSS:30V;ID:7A;VGS:±20V;VTH:1.5V;RDS(ON):11.8mΩ;PD：2W

沟槽;1个P沟道;VDSS:-40V;ID:-5A;VGS:±20V;VTH:-1.6V;RDS(ON):45mΩ;PD：2W

SiC;1个N沟道;VDSS:1200V;ID:150A;VGS:-4~22V;VTH:3.5V;RDS(ON):12mΩ;PD：675W

SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:8.7A;VGS:±22V;VTH:2.6V;RDS(ON):360mΩ;PD：28W

SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:6A;VGS:±22V;VTH:3.2V;RDS(ON):560mΩ;PD：21W

沟槽;2个N沟道;VDSS:100V;ID:8A;VGS:±20V;VTH:1.5V;RDS(ON):88mΩ;PD：5W

沟槽;2个N沟道;VDSS:30V;ID:9.5A;VGS:±20V;VTH:1.5V;RDS(ON):20mΩ;PD：2.8W

驱动SiC/PFC/驱动能力HS/LS：200mA/400mA

沟槽；P沟道；耐压:-60V；电流:-170mA

SGT；P沟道；耐压:-100V；电流:-80A

沟槽;1个P沟道;VDSS:-100V;ID:-40A;VGS:±20V;VTH:-2V;RDS(ON):31mΩ;PD：111W

4N15L/沟槽/Single N/150V/4A/245mΩ

SGT;1个P沟道;VDSS:-100V;ID:-80A;VGS:±20V;VTH:-3V;RDS(ON):22mΩ;PD：250W

驱动SiC/原边反馈/130KHz/6级能效/36W

SGT;1个N沟道;VDSS:100V;ID:300A;VGS:±20V;VTH:3V;RDS(ON):2mΩ;PD：379W

沟槽;2个N沟道;VDSS:60V;ID:200mA;VGS:±20V;VTH:2.5V;RDS(ON):1.6mΩ;PD：0.38W

沟槽;1个P沟道;VDSS:-19V;ID:-16A;VGS:±12V;VTH:-0.7V;RDS(ON):12.4mΩ;PD：2.1W