VBsemi(微碧半导体)Китай
STS4NF100-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要小型化和高集成度的应用。SOP8；N—Channel沟道,100V；9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока6.4 A
Сопротивление в открытом состоянии40 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,6.4A |
| 数量 | 1个N沟道 |