STS4NF100-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要小型化和高集成度的应用。SOP8；N—Channel沟道,100V；9A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流6.4 A
导通电阻40 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流6.4 A
导通电阻40 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,6.4A |
| 数量 | 1个N沟道 |