Поиск аналогов электронных компонентов
PanasonicЯпония

PGA26E19BA

GaN Transistors
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
IDM-脉冲电流23A
ID-最大漏极电流13A
VDSS-最大漏源电压600V
Vgs(th)-门槛电压1.6V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗190mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1DFN8X8
Другое
Ciss-输入等效电容160pF
Pd-功率耗散66W
Qg-栅极电荷12nC
引脚数量18
栅源耐压Vgs+10V
栅源耐压Vgs-10V

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.