PDW(芯格诺科技)Китай
900V N沟道MOSFET，采用无铅封装，具备低栅极电荷和快速恢复体二极管
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток900 V
Постоянный ток стока4 A
Сопротивление в открытом состоянии3.6 ΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 900V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.