PDW(芯格诺科技)中国

PD4N90

晶体管 - FET，MOSFET - 单

900V N沟道MOSFET，采用无铅封装，具备低栅极电荷和快速恢复体二极管

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沟道N 沟道
耐压900 V
连续漏极电流4 A
导通电阻3.6 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压900 V
连续漏极电流4 A
导通电阻3.6 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))3.6Ω@10V
数量1个N沟道

技术资料

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