Поиск аналогов электронных компонентов

NXG2EA070R170

GaN Transistors
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流10.5A
VDSS-最大漏源电压700V
最大漏源电流Id10.5A
漏源击穿电压Vdss700V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗170mΩ
最大漏源导通阻抗Ron170mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1DFN
Другое
Qg-栅极电荷4.4nC
引脚数量15
栅极电荷Qg4.4nC

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.