Поиск аналогов электронных компонентов
NJVMJD32T4G
onsemiСША

NJVMJD32T4G

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-252-3

TRANS PNP 40V 3A DPAK

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер40 V
Ток коллектора3 AМакс.
Коэффициент усиления hFE103A
Мощность1.56 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)50µA
Current - Collector (Ic) (Max)3 A
Power - Max1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition3MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Другое
Base Product NumberNJVMJD32
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.