NJVMJD32T4G
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NJVMJD32T4G

在产晶体管 - 双极(BJT) - 单管TO-252-3

TRANS PNP 40V 3A DPAK

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类型PNP
集射极耐压40 V
集电极电流3 A
放大倍数 hFE10

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技术参数

类型PNP
集射极耐压40 V
集电极电流3 A最大
放大倍数 hFE103A
功率1.56 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)50µA
Current - Collector (Ic) (Max)3 A
Power - Max1.56 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition3MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
其他
Base Product NumberNJVMJD32
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A

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