VBsemi(微碧半导体)Китай
IRF7503TRPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；MSOP8；N+N—Channel沟道；30V；6.5A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.6V；采用Trench技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока6.5 A
Сопротивление в открытом состоянии20 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.