IRF7503TRPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；MSOP8；N+N—Channel沟道；30V；6.5A；RDS(ON)=20(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.6V；采用Trench技术；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻20 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻20 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |
技术资料
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