JSMSEMI(杰盛微)Китай
高密度电池设计，可实现极低的RDS。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока9 A
Сопротивление в открытом состоянии75 mΩМакс. · 1.8V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.8V |
| 数量 | 2个N沟道 |
Документы
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 562.7 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации