JSMSEMI(杰盛微)中国

8205A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

高密度电池设计，可实现极低的RDS。

查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9 A
导通电阻75 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9 A
导通电阻75 mΩ最大 · 1.8V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
其他
导通电阻(RDS(on))75mΩ@1.8V
数量2个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 562.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
进入资料中心