Поиск аналогов электронных компонентов
2N7002VC-7

2N7002VC-7

ПроизводитсяFET, MOSFET ArraysSOT-563

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563

Двойной N-канальный MOSFET с обогащением, 60В, корпус SOT-563, низкое сопротивление, соответствует RoHS.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 21
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
КорпусSOT-563
Диапазон рабочих и температур хранения-55 to +150 °C
Соответствует RoHSLead Free By Design/RoHS Compliant
Экологически чистое устройствоGreen Device
Напряжение сток-исток60 V
Напряжение затвор-истокContinuous ±20 V, Pulsed ±40 V
Ток стокаContinuous 280 mA, Pulsed 1.5 A
Общая рассеиваемая мощность150 mW
Тепловое сопротивление, переход-окружающая среда833 °C/W
Напряжение пробоя сток-истокMin 60 V, Typ 70 V, VGS=0V, ID=10μA
Ток стока при нулевом напряжении затвораMax 1.0 μA @ TC=25°C, Max 500 μA @ TC=125°C, VDS=60V, VGS=0V
Утечка затвор-подложкаMax ±100 nA, VGS=±20V, VDS=0V
Пороговое напряжение затвораMin 1.0 V, Max 2.5 V, VDS=VGS, ID=250μA
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянииMax 7.5 Ω @ VGS=5V, ID=0.05A; Max 13.5 Ω @ VGS=10V, ID=0.5A, Tj=125°C
Ток стока в открытом состоянииMin 0.5 A, Typ 1.0 A, VGS=10V, VDS=7.5V
Прямая передаточная проводимостьMin 80 mS, VDS=10V, ID=0.2A
Входная емкостьMax 50 pF, VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz
Выходная емкостьMax 25 pF, VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz
Обратная емкость передачиMax 5.0 pF, VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz
Время задержки включенияMax 20 ns, VDD=30V, ID=0.2A, RL=150Ω, VGEN=10V, RGEN=25Ω
Время задержки выключенияMax 20 ns, VDD=30V, ID=0.2A, RL=150Ω, VGEN=10V, RGEN=25Ω
Все параметры (19)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C280mA
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Power - Max150mW
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-563
Другое
Base Product Number2N7002
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Распиновка и корпус

SEE NOTE 1
SEE NOTE 1
Корпус: SOT-563

Изображения

2N7002VC-7Фото · Каталог ChipCross

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.