QNHCHIP(乾能惠)Китай
N沟道增强型功率MOSFET，具备低导通电阻和卓越开关性能，适用于低压应用
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии50 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.