QNHCHIP(乾能惠)中国

20N06-Q

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道增强型功率MOSFET，具备低导通电阻和卓越开关性能，适用于低压应用

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻50 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻50 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
其他
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

该型号暂未收录资料。