搜索结果:SI2333

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

类型: 1个P沟道 漏源电压(Vdss): 12V 连续漏极电流(Id): 6A

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

类型 1个P沟道;漏源电压(Vdss) 12V;连续漏极电流(Id) 4.2A;导通电阻(RDS(on)) 32mΩ@4.5V,4A;耗散功率(Pd) 1.25W;阈值电压(Vgs(th)) 0.6V;输入电容(Ciss@Vds) 760pF@10V;反向传输电容(Crss) 76pF@10V;

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适用于电源开关和信号控制

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P沟道12-V(D-S)MOSFET

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单 FET,MOSFET

SI2333 SOT-23场效应管

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单 FET,MOSFET

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单 FET,MOSFET

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

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P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

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MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

P沟道,-12V,-3.8A,29mΩ@-4.5V,-3.8A;应用领域:应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

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单 FET,MOSFET

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23

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