SI2333
晶体管 - FET，MOSFET - 单MOSFET,P-channel 12V/8V 5.1A VGS(th)=0.6V 28mΩ@5.1A&4.5V,SOT-23
沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流5.1 A
导通电阻59 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流5.1 A
导通电阻59 mΩ最大 · 1.8V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@1.8V |
| 数量 | 1个P沟道 |