Результаты поиска:WPM2015
Найдено: 12- С даташитом11
- Производителей9
Результаты поискаВсего: 12
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 耐压:20V 电流:3A | Даташит9 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит6 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 这款场效应管具有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及35mR的典型内阻。其VGS为12V，属于P型器件。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大及开关电路等，确保系统稳定运行。低内阻使其在高频开关应用中具有优势。(WPM2015-3/TR) | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 耐压:20V 电流:2.8A | Даташит9 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P沟道,-20V-2.4A | Даташит3 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | 这款场效应管具有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及35mR的典型内阻。其VGS为12V，属于P型器件。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大及开关电路等，确保系统稳定运行。低内阻使其在高频开关应用中具有优势。 | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P沟道，-20V，-2.3A，90mΩ@-4.5V,-2.3A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V； | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | P-Channel MOSFET | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.