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MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

此款MOS管型号为STS4DNF60L ，采用紧凑型SOP-8封装，适合高密度电路板设计。其内部结构为高性能N+N沟道，能在60V的额定电压下稳定工作，提供高达6.5A的连续输出电流。尤其值得一提的是，该器件具有超低的导通电阻仅为32mΩ，能有效降低功耗，提升系统效率，是电源管理、电机驱动等应用的理想选择。