Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:SMBJ33CA

Найдено: 50+
  • С даташитом (в первых 50)45
  • Производителей (в первых 50)47

Результаты поискаВсего: 50+

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA

Даташит6
TVS Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB

Даташит10
TVS Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC

TVS Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB

Даташит1
TVS - Diodes

SMB 600W 53.3V 11.26A TVS Diode

Даташит6
TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA

TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB

Даташит1
TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC

TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA

TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB

Даташит2
TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB

TVS - Diodes

TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB

Даташит1
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

Даташит7
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

Даташит9
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

这款SMB封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向设计,适用于中高压电路的全面保护。具备33V的稳定双向反向工作电压VRWM,在正负过压事件下表现出色,可承受高达11.3A的峰值脉冲电流IPP,有效吸收并快速钳位瞬态电压,为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护能力,确保系统免受雷击、静电等瞬态冲击的影响。

Даташит3
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

VBR=36.7V ,Vc=53.3V, Ipp=11.3A 双向

Даташит3
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

Даташит5
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

采用GPP工艺芯片,具有低漏电、高对档率等优势 ,有较好的高温特性及稳定性。

Даташит4
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

Даташит2
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

极性:双向 反向截止电压(Vrwm):33V 击穿电压:36.7V 最大钳位电压:53.3V

Даташит2

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.