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SM6366ED1RL 型号N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装设计，兼具小型化与高效散热功能，特别适合现代高密度电子设备应用。器件拥有30V额定电压VDSS，提供高达120A连续电流ID处理能力，展现卓越的电力控制性能。其3.5mR超低导通电阻，有效提高能源效率并减少系统损耗。