Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:SI2300

Найдено: 39
  • С даташитом35
  • Производителей24

Результаты поискаВсего: 39

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A适用于电源开关和信号控制

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

本产品是一款N型场效应管,具有6A的电流承载能力,最高20V的工作电压。其内阻典型值为22mΩ,适用于低电阻、高效率的应用场景。VGS为12V,确保稳定的开关控制。适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。(SI2300DS-T1-GE3)

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит9
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N沟道 20V 5A

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

丝印A0SHB

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит4

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

场效应管(MOSFET)

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOS配置 独立式;沟道类型 N 沟道;漏源击穿电压(Vds) 30V;连续漏极电流(Id) 3.5A;栅极开启电压 (Vgs (th)) 1~3V;导通内阻 (Rds (on))≤60mΩ@Vgs=4.5V;耗散功率 (Pd) 1.25W;工作结温范围 - 55℃~+150℃

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит9
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

-

Даташит9
Single FETs, MOSFETs

SI2300B SOT-23场效应管

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.