Результаты поиска:NTA4151PT1
Найдено: 6- С даташитом6
- Производителей2
Результаты поискаВсего: 6
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 | Даташит2 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 本款P沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID为0.66A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件适用于低电压电源管理及信号切换电路，具备良好的开关特性和稳定性。由于其较低的工作电压特性，适合用于便携式电子设备、逻辑控制电路以及各类小型化应用中，有助于实现电路的高效运行与简化设计。 | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.