Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:IRLZ44NS

Найдено: 14
  • С даташитом13
  • Производителей4

Результаты поискаВсего: 14

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Single FETs, MOSFETs

IRLZ44NS is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 55 V, RDS (on) max: 22 mOhm, Package: D2PAK (TO-263), Technology: IR MOSFET™, ID max: 47 A

Даташит5
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

台积电流片,长电科技封装;是一款单N场效应管,采用Trench工艺制造。具有高效、稳定和可靠的特性,适用于多种领域的功率电子应用,可满足不同应用场景的需求。TO263;N—Channel沟道,60V;50A;RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V;Vth=1~3V;

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IC MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит9
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263;N—Channel沟道,60V;120A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Даташит1

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.