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IRLZ44N is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 55 V, RDS (on) max: 22 mOhm, Package: TO-220, Technology: IR MOSFET™, ID max: 47 A

MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 47A TO262

IRLZ44NS is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 55 V, RDS (on) max: 22 mOhm, Package: D2PAK (TO-263), Technology: IR MOSFET™, ID max: 47 A

MOSFET N-CH 55V 47A TO262

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

IRLZ44NPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典可靠的TO-220封装，专为高功率应用设计。该器件提供60V的高耐压VDSS，可承载高达60A的连续漏极电流ID，满足大电流环境下的电力传输需求。其独特优势在于业界领先的17mR低导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，提升系统能效，适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种大功率、高效率的电子设备中。

采用沟槽工艺，具备低开启电压特性，60V 50A,15mΩ@10V,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。

台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造。具有高效、稳定和可靠的特性，适用于多种领域的功率电子应用，可满足不同应用场景的需求。TO263；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V；Vth=1~3V；

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

IC MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、汽车电子、工业控制、LED照明等领域。TO263；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；