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IRLR3636 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 60 V, RDS (on) max: 6.8 mOhm, Package: DPAK (TO-252), Technology: IR MOSFET™, ID max: 99 A

MOSFET N-CH 60V 6.8mOHM DPAK

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

N管/60V/55A/12MΩ/(典型8MΩ)

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO

IRLR3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO

这款N沟道场效应管（MOSFET）具备强大的电流处理能力，其最大连续漏极电流ID可达80A，适用于高负载场景。该器件支持最高60V的漏源电压VDSS，并且拥有仅为6mΩ的低导通电阻RDON，有效降低了工作时的能量损耗。栅源电压VGS为20V，确保了良好的驱动性能。由于其优异的电气特性，这款MOSFET非常适合应用于需要高效开关控制的各种电子设备中，如电源转换器、电池管理系统等，能够显著提升系统的整体效率与稳定性。

IRLR3636PbF 是一款高端N沟道MOSFET，采用行业标准的TO-252-2L封装，旨在满足现代高效能电子设备的需求。该器件工作电压高达60V(VDSS)，可承载持续的漏极电流达80A(ID)，且在导通状态下展现卓越的低电阻特性，仅6.5mΩ(RD(on))，有效降低了功率损耗，提升了系统效能。凭借其强大稳定性和广泛的适用范围，IRLR3636PbF 非常适合应用于开关电源、马达驱动、电池保护等领域，是打造高性能、低能耗电子系统的优选组件。

IRLR3636TRPBF-TP

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

IRLR3636TRPBF-JSM