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MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。

N-CHANNEL MOSFET 20V 4.2A SOT-23

HEXFET POWER MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

IRLML2502TRPBF-HJC

此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，最大连续电流6A。专为高效能电子应用设计，具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等领域，实现精准可靠的功率控制与管理。

适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。