Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:IRL540N

Найдено: 22
  • С даташитом21
  • Производителей4

Результаты поискаВсего: 22

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги

Даташит6
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 36A TO262

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 36A TO262

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB

Даташит3
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 36A TO262

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 36A TO262

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2

Даташит4
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

HEXFET POWER MOSFET

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит9
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用,高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220;N—Channel沟道,100V;55A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,具有高性能和可靠性,采用Trench工艺制造,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263;N—Channel沟道,100V;45A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Даташит1
Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

Даташит2

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.