Результаты поиска:IRFZ44N

MOSFET N-CH 55V 49A TO-220

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

MOSFET N-CH 55V 49A TO262

MOSFET N-CH 55V 49A TO262

IRFZ44NS is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 55 V, RDS (on) max: 17.5 mOhm, Package: D2PAK (TO-263), Technology: IR MOSFET™, ID max: 49 A

场效应MOS IRFZ44N-A

场效应MOS IRFZ44N-B

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB

N沟道,60V,50A,导通电阻：18mΩ

这款N沟道场效应管（MOSFET）设计紧凑，具备出色的电气性能。其最大漏源电流（ID）可达25安培，在10伏特下的导通电阻（RDSON）仅为12毫欧姆，有效降低了导通状态下的功耗。该器件的最大漏源电压（VDSS）为60伏特，能够承受较高电压的应用环境，同时，栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，提供了宽泛的操作范围。此MOSFET适用于各种电子设备中的电源管理与信号控制，如便携式电子产品、消费类电器等，是高性能电路设计的理想选择。

N沟道,60V,60A,12mΩ 10V 10A 87W 采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷