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MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET

特性：RDS(ON)≤16 mΩ@VGS=10V。 RDS(ON)≤20 mΩ@VGS=4.5V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备

台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；13.5A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具备优良的导通与开关性能。其漏极电流ID可达10A，漏源电压VDSS为30V，适用于中高功率电源管理场合。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。该器件可广泛应用于各类电源转换电路、电机驱动装置、电池管理系统以及高性能数字控制电路中，提供稳定可靠的电气表现和良好的热稳定性。