Результаты поиска:IRF540NS
Найдено: 13- С даташитом13
- Производителей7
Результаты поискаВсего: 13
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1个N沟道 耐压:100V 电流:33A 停产 | Даташит4 | ||||
| Даташит5 | ||||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Даташит3 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。 | Даташит7 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，具有高性能和可靠性，采用Trench工艺制造，适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V； | Даташит1 | ||||
| Single FETs, MOSFETs | N-Channel MOSFET | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 高品质MOS管 N沟道 电流:33A 耐压:100V 导通电阻：44mΩ | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.