Результаты поиска:BSL215C
Найдено: 10- С даташитом10
- Производителей4
Результаты поискаВсего: 10
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FET, MOSFET Arrays | Даташит9 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит6 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N+P沟道,20V,1.5A | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1个N沟道+1个P沟道 | Даташит2 | ||||
| FET, MOSFET Arrays | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | Даташит2 | ||||
| FET, MOSFET Arrays | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | SOT23-6；N+P—Channel沟道,±60V；±4A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-1V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.