Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:BCW29

Найдено: 15
  • С даташитом9
  • Производителей10

Результаты поискаВсего: 15

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
BCW29

BCW29

BCW29
Single Bipolar Transistors

Даташит1
BCW29
Single Bipolar Transistors

Даташит10
BCW29

BCW29CSM
Single Bipolar Transistors

BCW29LT1

BCW29LT1
Single Bipolar Transistors

BCW29,215
Transistors - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB

Даташит2
BCW29,235
Single Bipolar Transistors

TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB

Даташит2
BCW29,235
Transistors - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB

Даташит2
BCW29(Z)
Electrostatic and Surge Protection (TVS/ESD)

Даташит1
BCW29,215
Single Bipolar Transistors

TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB

Даташит2
BCW29,215
Single Bipolar Transistors

此PNP型三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流(IC)和40V的集电极-发射极电压(VCEO)，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)在100到300之间，确保了信号放大过程中的高效性能。特别值得一提的是，它拥有高达300MHz的过渡频率(FT)，表明该元件在高频应用环境下同样表现出色。这种三极管非常适合应用于无线通信模块及音频设备中，为设计者提供了在高频率下保持稳定增益的灵活选择。

Даташит1
BCW29-HXY
Bipolar Transistors - Unspecified Type

此PNP型三极管（BJT）具备0.2A的集电极电流(IC)和40V的集电极-发射极电压(VCEO)，适用于需要中等功率处理能力的电路。其直流电流增益(HFE)在100到300之间，确保了信号放大过程中的高效性能。特别值得一提的是，它拥有高达300MHz的过渡频率(FT)，表明该元件在高频应用环境下同样表现出色。这种三极管非常适合应用于无线通信模块及音频设备中，为设计者提供了在高频率下保持稳定增益的灵活选择。(BCW29,215)

Даташит1

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.