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MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L

该P沟道场效应管具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和4.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻为48mΩ，适用于低电压开关与电源控制场合。栅源电压范围为±12V，具备良好的栅极驱动兼容性。相较于N沟道器件，P沟道结构在高端开关应用中可简化驱动设计。其较低的RDSON有助于减少导通损耗，提升能效。常用于电池供电设备的电源管理、便携式电子产品中的负载开关、DC-DC转换电路及电压反接保护电路，为低压直流系统提供可靠的开关控制方案。

AO3413

MOS场效应管

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。

为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

P-Channel MOSFET

数量1个P沟道 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3A 导通电阻(RDS(on))65mΩ@4.5V