Результаты поиска:2SK3018
Найдено: 50+- С даташитом (в первых 50)41
- Производителей (в первых 50)36
Результаты поискаВсего: 50+
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит7 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,30V,100mA | Даташит22 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит3 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит2 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит2 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。 | Даташит8 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA N沟道,30V,0.1A,8Ω@4V | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，提供精确的0.1A电流控制。具备低导通电阻和快速开关性能，尤其适用于电池保护、信号切换等低功耗电子应用，实现高效能与节能的功率管理解决方案。 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 小电流MOSFET产品，N沟道，ESD防护，耐压：60V，电流：0.1A, Rdson：2000mR | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит2 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | SOT-23 应用消费电子、工控通信、汽车电子 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | ID=0.3A/VDS=30V/VGS=±20V | Даташит3 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Даташит2 | ||||||
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.