Результаты поиска:2SC3357

Найдено: 31

С даташитом29
Производителей18

Результаты поискаВсего: 31

Партномер	Категория	Описание	Документы
2SC3357	Bipolar Transistors - Unspecified Type		Даташит6
2SC3357	Bipolar Transistors - Unspecified Type		Даташит2
2SC3357	Bipolar Transistors - Unspecified Type	2SC3357-RF 高频管采用双极硅外延工艺制造，具有高功率增益放大以及低噪声特性，大动态范围，理想的电流线性；主要应用于射频收发放大、超高频微波、VHF、UHF 和CATV 等产品上的高频宽带低噪声放大器；集电极-发射极击穿电压：BVCEO=15V，最大集电极电流：IC=150mA；最大集电极耗散功率：PC=1200mW,特征频率：fT=7.5GHz；	Даташит1
2SC3357
2SC3357			Даташит2
2SC3357			Даташит1
2SC3357	Single Bipolar Transistors	Triode 2SC3357 RF	Даташит1
2SC3357	Single Bipolar Transistors		Даташит1
2SC3357	Single Bipolar Transistors	高频管 2SC3357	Даташит1
2SC3357	Single Bipolar Transistors	NPN Silicon Transistor	Даташит1
2SC3357	Single Bipolar Transistors	2SC3357 SOT-89双极晶体管	Даташит1
2SC3357-A	Transistors - Bipolar (BJT) - RF	RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	Даташит2
2SC3357-T1-A	Transistors - Bipolar (BJT) - RF	RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	Даташит2
2SC3357-T1-RF-A	Transistors - Bipolar (BJT) - RF	RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89	Даташит2
2SC3357E	Single Bipolar Transistors	该NPN型三极管集电极电流为0.1A，集电极-发射极耐压12V，适用于低功率工作环境。其特征频率高达6500MHz，具备卓越的高频性能，适合用于高频信号放大与射频电路设计。直流电流放大系数HFE在120至270之间，增益范围宽且稳定性好，可有效支持小信号放大应用。该器件常用于无线通信模块、高频振荡电路、射频接收前端及各类便携式电子设备中的信号处理与放大功能，满足高频、低噪声电路的设计需求。【联系：sales@hxymos.com】	Даташит1
2SC3357U	Bipolar Transistors - Unspecified Type		Даташит2
2SC3357-E	Bipolar Transistors - Unspecified Type		Даташит2
2SC3357-E	Single Bipolar Transistors	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Даташит6
2SC3357-F	Single Bipolar Transistors	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Даташит6
2SC3357 RE	Bipolar Transistors - Unspecified Type		Даташит4

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.