Результаты поиска:2N7002ET1G
Найдено: 5- С даташитом5
- Производителей4
Результаты поискаВсего: 5
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Single FETs, MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 | Даташит2 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。 | Даташит4 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002 | Даташит5 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V； | Даташит1 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.