Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Найдено: 50+- С даташитом (в первых 50)50
- Производителей (в первых 50)1
Результаты поискаВсего: 50+
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 650V,电流:4A,耐压:650V 停产 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,电流:10A,耐压:650V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 停产 N沟道,电流:12A,耐压:650V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 600V N沟道功率MOSFET,电流:8A,耐压:600V 停产 | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Даташит1 | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Vds=40/-40V ,ID=8A/-7A | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Advanced trench technology，Vds=-40V ,ID=-2.8A ，125mΩ@-4.5V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N 沟道增强型 MOSFET，SOT-23 封装，VDS=60V，ID=0.35A，RDS (on)=2.2Ω@10V/2.8Ω@4.5V，Qg=1.7nC，低栅极电荷，适用于负载开关，TJ=-55~+150℃，带ESD | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,30V,8A,14mΩ@10V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 停产 N沟道,电流:3.8A,耐压:30V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | N沟道,20V,6.5A,22mΩ@4.5V(带ESD保护功能) | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 停产 P沟道,电流:-2.6A,耐压:-30V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 停产 1个N沟道 耐压:30V 电流:90A | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P沟道,电流:-1.4A,耐压:-20V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 停产 N沟道,电流:1.5A,耐压:100V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | P沟道,-60V,-1.6A,250mΩ@-10V | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1个P沟道 耐压:20V 电流:5.6A | Даташит1 |