Поиск аналогов электронных компонентов
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай

N 沟道增强型 MOSFET,SOT-23 封装,VDS=60V,ID=0.35A,RDS (on)=2.2Ω@10V/2.8Ω@4.5V,Qg=1.7nC,低栅极电荷,适用于负载开关,TJ=-55~+150℃,带ESD

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Технические параметры этого компонента пока не указаны.

Документы