Поиск аналогов электронных компонентов

WINSOK(微硕)

Найдено: 50+
  • С даташитом (в первых 50)34
  • Производителей (в первых 50)1

Результаты поискаВсего: 50+

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит2
Single FETs, MOSFETs

高压场效应管(100-800V)

Single FETs, MOSFETs

中压场效应管(30-100V)

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):60V@@连续漏极电流(Id):3A@@功率(Pd):1W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.9A

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:P沟道@@漏源电压(Vdss):-60V@@连续漏极电流(Id):-0.22A@@功率(Pd):1W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@-10V,-0.1A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):-2.5V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):50V@@连续漏极电流(Id):0.22A@@功率(Pd):0.35W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,0.22A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):100V@@连续漏极电流(Id):20A@@功率(Pd):23W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,10A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):60V@@连续漏极电流(Id):50A@@功率(Pd):45W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):200V@@连续漏极电流(Id):35A@@功率(Pd):150W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

WSD40N06ADN33

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):60V@@连续漏极电流(Id):30A@@功率(Pd):31W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):60V@@连续漏极电流(Id):70A@@功率(Pd):65W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):30V@@连续漏极电流(Id):0.5A@@功率(Pd):1W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@4.5V,0.5A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):200V@@连续漏极电流(Id):55A@@功率(Pd):158W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,15A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -2.5 VGS(th)(v) -0.7 RDS(ON)(m?)@4.41V 135 Qg(nC)@4.5V 3 QgS(nC) 0.5 Qgd(nC) 0.8 Ciss(pF) 290 Coss(pF) 60 Crss(pF) 34

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -5.3 VGS(th)(v) -0.75 RDS(ON)(m?)@4.86V 58 Qg(nC)@4.5V 6.2 QgS(nC) 2.2 Qgd(nC) 1.8 Ciss(pF) 575 Coss(pF) 98 Crss(pF) 75

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:N沟道@@漏源电压(Vdss):200V@@连续漏极电流(Id):55A@@功率(Pd):158W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,15A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

类型:P沟道@@漏源电压(Vdss):-40V@@连续漏极电流(Id):-12A@@功率(Pd):87W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@-10V,-20A@@阈值电压(Vgs(th)@Id):-2.2V@250uA

Даташит1