HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该肖特基二极管采用独立式配置，具有2A的额定正向电流（IF）和40V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通状态下能耗较低；反向漏电流（IR）为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、续流保护及低电压高效能转换等电路应用。