Rohm SemiconductorЯпония
TRANS NPN 12V 2A TUMT6
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер12 V
Ток коллектора2 AМакс.
Коэффициент усиления hFE270200mA
Мощность1 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Power - Max | 1 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
| Frequency - Transition | 360MHz |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | TUMT6 |
| Другое | |
| Base Product Number | US6X5 |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Not For New Designs |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 50mA, 1A |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.