GME(银河微电)Китай
50V,100mA,PNP Bipolar Digital Transistor
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 最大关断输入电压 VI(off) (V) | 0.5 |
| 最小导通输入电压 VI(on) (V) | 1.3 |
| 集电极-发射极击穿电压 VCEO (V) | 50 |
| 集电极连续电流 IC (mA) | 100 |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 增益 GI | 100 |
| 特征频率 fT (MHz) | 250(typ) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| REACH 合规 | YES |
| RoHS 合规 | YES |
| 封装 Package | SOT-363 |
| Другое | |
| AEC-Q 车规认证 | NO |
| 内置电阻 R1 (kΩ) | 4.7 |
| 内置电阻 R2 (kΩ) | 47 |
| 出口管制编码 ECCN | EAR99 |
| 无卤 Halide-free | YES |
| 无铅 Pb-free | YES |
| 最低结温 Tj min (℃) | -55 |
| 最高结温 Tj max (℃) | 150 |
| 极性 Polarity | NPN×2 |
| 生命周期 Marketing Status | Active |
| 电阻比 R1/R2 典型值 | 10 |
| 耗散功率 PD (mW) | 300 |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 528.7 KB · 2026-09-23EnvironmentalEnvironmental · 1.5 MB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 955.9 KB · 2026-09-23EnvironmentalEnvironmental · 874.0 KB · 2026-09-23EnvironmentalEnvironmental · 844.9 KB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 567.9 KB · 2026-09-23Package DrawingPackage Drawing · 279.3 KB · 2026-09-23
Центр документации